justme Escreveu:(...) Por essa parte podemos estar descansados uma vez que os MOSFETS têm a porta isolada, isto é, a sua gate não consome corrente.
Mesmo os FETS têm uma resistencia de entrada altissima (dezenas de MOhms), não havendo portanto, praticamente, consumo de corrente.
Tanto os FETS, como os MOSFETS têm um comando por tensão ao contrário dos BIPOLARES, em que a corrente de colector está dependente de uma corrente de base.
Portanto a escolha de um MOSFET, ou FET com maior corrente de dreno não constitui preocupação com relação á sobrecarga do circuito de controle ligado á gate.
Estou bastante longe de ser um entendido em MOSFETs, mas sei que infelizmente essa não é a história toda.
Apesar da resistência DC ser alta, a resistência AC não é. A gate de um MOSFET é de facto um condensador, mas a capacidade (valor) desse condensador varia de transístor para transístor, e normalmente é maior para os MOSFETs de maior potência.
O possível lado negativo de trocar um MOSFET por outro de maior potência é que, como o condensador da gate é maior, demora mais tempo a carregar (quando se liga o MOSFET) e a descarregar (quando se desliga). Se o driver que "ataca" o MOSFET fornecer/absorver pouca corrente, acontece que o MOSFET leva mais tempo a ligar/desligar; isto leva a que o aquecimento do mesmo seja maior pois ele passa mais tempo na zona resistiva, e a eficiência total do circuito mais baixa (mais energia dissipada na forma de calor).
Portanto, pode ser necessário um dissipador, ou um dissipador maior. Se houver alguma resistência em série com a gate, baixá-la um pouco vai "recuperar" o tempo de ligar/desligar. É preciso também ver o que diz a datasheet acerca disso.
